钕掺杂Ti基Sn-Sb涂层电极的制备及性能评价

摘要

以SnCl4.5H2O,Sb2O3和Nd(NO3)3.6H2O为前驱体,纯钛板为基体,采用涂层热解法制备了Nd掺杂Ti基Sn-Sb氧化物涂层电极。通过对所制备电极的析氧电位和含阴离子表面活性剂污水降解效果的考察,优化出最佳Nd掺杂量为Sn∶Sb∶Nd=100∶6∶2.5(摩尔比),最佳热处理温度为550℃。通过SEM,XRD和EDX等检测手段对制备的电极的表面形貌、晶体结构及元素组成进行了表征和分析,结果证明,适量Nd的掺杂使Ti/Sn-Sb电极的析氧电位明显提高,达到1.72 V,对阴离子表面活性剂的去除率达到97.4%,使电极表面晶粒细化,对基体覆盖较好。掺杂过量会使SnO2晶格破坏,使电极性能降低,甚至低于未掺杂电极。