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Fe_x-C_(1-x)/Si颗粒膜的巨磁电阻效应

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摘要

利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化。当温度T<258 K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258 K

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来源
《稀有金属》 |2006年第4期|429-431|共3页
作者
章晓中; 薛庆忠;
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作者单位

清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类电磁学;
关键词
磁电阻; 碳膜; 硅;

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