光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析

彭晓; 王福会; D.R.Clarke

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用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co—Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果: (1)残余应力随氧化温度升高而增大; (2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.

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来源
《金属学报》 |2003年第10期|1060-1064|共5页
作者
彭晓; 王福会; D.R.Clarke;
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作者单位

中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室;

Materials Department;

College of Engineering;

University of California at Santa Barbara;

CA 93106-5050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类真空镀与气相镀法;
关键词
光激发荧光谱术; A12O3; 残余应力; 磁控溅射Co—Cr—Al(Y); 纳米涂层;

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