基于GaNFET的超窄脉冲高压调制器技术研究

摘要

随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小、无反向寄生二极管,具有开关速度快、频率高、开关损耗小的性能优势。文章将GaNFET首次应用在超窄脉冲的高压调制器中,进行了基于GaNFET的调制器拓扑与控制研究。文章简要介绍了调制器的技术指标,阐述了调制器的拓扑结构和工作原理,进行了仿真与试验并给出了仿真波形和测试波形,在超窄脉冲调制器研究方面取得了突破,成功研制了脉冲幅度10 kV、脉冲宽度50~100 ns、前沿小于50 ns的超窄脉冲高压脉冲调制器,并应用在W波段磁控管发射机上,对其未来应用前景作出了展望。