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杨子健; 杨爱国; 杨建红; 冯浩; 李冠斌; 崔敬忠;
兰州大学物理科学与技术学院;
兰州730000;
兰州物理研究所;
二氧化钒薄膜; 磁控共溅射; 掺杂; 光电特性; 能带;
机译:通过溶胶 - 凝胶旋涂法制备的W掺杂VO2薄膜的结构,形态学和光学性质
机译:溅射TiNx薄膜氧化制备N掺杂TiO2薄膜的光电化学和光学性质
机译:Cu掺杂对RF磁控溅射制备的CDS薄膜物理和光电化学性质的影响
机译:喷雾热解法制备的掺Sn VO2薄膜的结构和光电性能
机译:薄膜宽带隙半导体:结构,光电特性的制备,掺杂和表征。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:薄膜制备,结构和性质。通过溶胶 - 凝胶法制备的Sb掺杂TiO2膜半导体电极的光电化学性质。
机译:离子束溅射制备低掺杂sn掺杂In2O3(ITO)薄膜。
机译:合成用于光电子制氢的硫掺杂的钼薄膜催化剂的方法及制备该方法的光电子的方法
机译:光电化学制氢用镍掺杂SnO2薄膜的制备系统
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