MOCVD法GaInAsSb合金的红外吸收与光致发光谱

摘要

用红外吸收、光致发光技术研究了常压ＭＯＣＶＤ法未掺杂ＧａＩｎＡｓＳｂ合金的光学性质，用这两种方法测出的外延层禁带宽度与根据合金组分计算出的禁带宽度基本一致。在红外吸收谱与光致发光谱中观察到了低能带尾，并探讨了产生原因。