砷化镓霍尔元件的研制

摘要

一、前言砷化镓霍尔元件具有温度特性好、稳定性好、灵敏度高,使用磁场范围宽等优点;用平面工艺容易成批生产。所以,自在高阻砷化镓衬底上制得低阻砷化镓外延层以来,该材料在磁电元件领域中的应用发展很快,砷比镓霍尔元件正在发展成为霍尔元件的代表性产品之一。这里介绍的砷化镓霍尔元件是在国外研究的基础上,对制造工艺进一步分析之后,提出了在蒸镀电极金属和进行台面腐蚀时不预先制备二氧化硅掩蔽膜,通过掩膜版和光刻胶膜进行选择性腐蚀的工艺流程,使工艺简化,节省了设备,降低了元件成本。