SiH_3自由基与NO反应机理的理论研究

摘要

采用密度泛函B3LYP/6-311G++(d,p)和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G++(d,p)方法研究了SiH3与NO在单重态势能面上的反应机理,全参数优化了反应势能面上的各驻点的几何构型,用内禀反应坐标(IRC)对过渡态进行了验证.找到以下反应路径R→IM01→TS01→P1(HSiNO+H2);R→IM01→TS02→IM02→TS03→IM04→TS06→P2(HSiN+H2O),产物P2经过1-2位氢迁移转化为最稳定的产物P3(HNSi+H2O);R→IM01→TS11→IM06→TS16→IM10→TS17→P4(HSiON+H2);R→IM01→TS11→IM06→TS18→P5(H2SiONH);R→IM01→TS11→IM06→TS19→P6(HSiONH2)等.