高T_c dc SQUID 1/f噪声的抑制

摘要

本文采用偏置电流反转的频率与磁通调制频率相等的方案,研制了带偏置电流反转的dcSQUID测试系统,明显降低了YBCO双晶结dcSQUID的1/f噪声.在3Hz处,磁通噪声由静态偏置时的3.2×10-40/Hz降低到5.9×10-50/Hz.1/f噪声的角频率从1kHz下降到3Hz.前放的设计,采用低噪声集成电路,整个磁通锁定环置于测试杆顶端,简化了电路,提高了测试系统的稳定性.在白噪声区,测得最低磁通噪声为1.6×10-50/Hz.前放的噪声系数为1.1dB.