退火对锗单晶导电性能的影响

摘要

退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。