烧结温度对合成Ti_3SiC_2材料的影响及反应机理的研究

摘要

以Ti/SI/C为原料，采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料，并分析反应烧结机理。结果表明，以3Ti／1．2Si／2C为起始原料，烧结温度在1250—1300℃之间，可以得到Ti3SiC2含量90％以上的Ti3SiC2材料。Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应，即：Ti3SiC2和β—Ti形成液相，液相冉与TiC反应，进而合成Ti3SiC2。