MoSi_2和WSi_2相结构和性能的电子理论研究

摘要

根据固体与分子经验电子理论 ,对MoSi2 和WSi2 相进行价电子结构分析 ,通过键距差 (BLD)方法 ,计算了MoSi2 和WSi2 晶体中各键上的共价电子数 .结果表明 :MoSi2 和WSi2 相是靠键距为2a2 +(c3) 2 2的Mof—Sic,Wf—Sic 最强键连接的 ,该键上共价电子数的大小将影响化合物的硬度 ,并且该键的键能大小将影响化合物的熔点 ,化合物的强度可由 η=nc/nt来衡量 .