SF_6电器双层气密结构密封机理的分析和计算

摘要

本文通过阻容直流电路模型,对SF_6高压电器的双层气密结构的漏气建立过程及其密封原理和密封水平进行了模拟计算,并借助于努森(Knudsen)定律进行了分析。证实了通过双层气密结构的漏气建立过程为指数曲线变化过程,其密封水平高于单层气密结构,漏气率随设备内部充气压力增加而增加的比率较小。