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刘端阳; 何大伟; 康凯; 刘春棠; 李少霞;
北京交通大学光电子技术研究所;
信息存储和显示材料实验室;
北京100044;
真空紫外激发; (Y; Gd)Al3(BO3)4; 色坐标; 能量传递; 发光特性;
机译:VUV激发下(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4:Tb〜(3+)的合成及光致发光性质
机译:BaGdB_9O_(16):Tb〜(3+)共掺杂的Zn〜(2+)或Ce〜(3+)在紫外和真空紫外激发下的发光特性
机译:真空紫外激发下MgY_4Si_3O_(13):Gd〜(3+),Tb〜(3+)的发光特性
机译:YAL_3(BO_3)_4:真空紫外激发下的GD磷光体的发光性能
机译:RE-Mg-Zn(RE = Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb和Lu)系统的实验和热力学研究
机译:掺Ce3 + / Gd3 +的Tb3Al5O12荧光粉用于白色发光二极管的发光
机译:真空紫外激发下Sr3Gd(BO3)3:Tb3 +荧光粉的发光特性
机译:眼镜中的Ce exp +3 - 和Tb exp +3-发光。 Ce exp +3 -activated Bulk silica和silica Thin Films。基于Ce exp +3激活的二氧化硅薄膜的α-粒子检测器。 Ce exp +3 -Tb exp +3-能量转移
机译:含TB或TB和GD活化的碱土金属混合硼酸盐的发光屏
机译:紫外光激发下新型红光磷的合成与发光特性
机译:真空紫外线激发下的磷,磷糊料组成和发光装置
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