单晶锗薄膜热导率的分子动力学模拟

摘要

采用非平衡分子动力学(NEMD)方法研究平均温度为400K,厚度d=2.8288～11.315nm的单晶锗薄膜法向的热导率。模拟结果表明,单晶锗薄膜热导率随薄膜厚度的增加以接近线性的规律增加,其数值明显低于同等温度下体态锗的试验值。当薄膜厚度一定时,单晶锗薄膜的热导率随温度增加变化幅度很小,与同体态锗热导率随温度的变化规律相比表现出明显的尺寸效应。