高耐压低负阻大功率晶体管理论分析

摘要

从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。