高性能、实用型氢离子敏传感器的研究

摘要

本文简要地介绍了H^+-ISFET(氢离子敏场效应晶体管)的基本结构和工作原理,分析了目前多数常规H^+-ISFET在结构上的不足之处和对实际pH值测量结果的不利影响,提出了一种实用型背面接触式H^+-ISFET。同时,文中对该结构在版图设计和工艺设计中的有关问题,进行了有益的探讨。最后指出:这种背面接触式H^+-ISFET在实际pH值的测量中有较好的实用价值。