透明导电材料Cd_2SnO_4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体

摘要

将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明：750—850℃低温无压烧结时，扩散反应发生缓慢，只有少量的Cd2SnO4生成．大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950～1050℃无压烧结，随着温度升高，扩散反应速率较快，发生大量合成反应生成Cd2SnO4，当SnO2过量时，CdO完全参加反应。当温度上升至1150℃时，Cd：5nO4含量大幅度增加，伴随出现第二相CdSnO3。四探针测试结果显示：随着温度的升高，Cd：SnO4主相含量增加，靶材电阻率逐渐降低至19．9×10^-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律，采用2：1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料，充分混合后在1000℃下煅烧2—3小时，可得到均匀单相亮黄色Cd，SnO4原料粉体。