一种用于ASIC内部存储器单粒子翻转效应评估的方法

摘要

本文提出了利用存储器内建自测试(MBIST)进行专用集成电路(ASIC)内部存储器的单粒子翻转(SEU)检测方法,研究并制定了MBIST的单粒子有效性辐照注量的统计方案,最后在重离子加速器上应用该方法进行了单粒子试验验证.通过与相同结构的存储器SEU结果的对比分析,结果表明,MBIST在有效辐照注量(1.27E+7icons/cm2)下,与存储器在标准辐照注量(1E+7icons/cm2)下获得的SEU在轨错误率误差小于2倍,运用MBIST方法可以方便、准确地用于评估ASIC的存储器SEU性能指标.