光探测与器件

摘要

TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨（中科院半导体研究所.北京（100083））,杨晓红…//光子学报.-2003,32（5）.-637-640采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度。