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渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜及其在台面型硅器件上的钝化应用

         

摘要

本文报道了一种新型的非晶钝化膜——渐变组分a-Si:H/a-SiC:H膜在功率器件表面上的钝化应用,研究了该渐变膜的性质和钝化机理.实验结果表明:采用此膜对台面型晶体管进行二次钝化,可使击穿电压显著提高,反向漏电流降低一个量级,抗沾污能力增强;经该膜直接钝化的3CT100A可控硅,击穿电压可达1500伏.

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1989年第6期|19-2228|共4页
  • 作者

    马瑾; 宋学文; 陆大荣;

  • 作者单位

    山东大学物理系;

    山东大学物理系;

    青岛大学物理系;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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