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马瑾; 宋学文; 陆大荣;
山东大学物理系;
青岛大学物理系;
机译:结构新颖,转换效率高的p-SiC /渐变p-SiC / i-Si / n-Si /金属基板型非晶硅太阳能电池
机译:硅基自旋电子器件应用的绝缘体上硅衬底上的铁磁DO_3相Fe_3Si薄膜的制备与表征
机译:Si钝化膜通过热CVD生长在SiC上的AlGaN / GaN-HEMT
机译:硅衬底上GaN量子阱膜的生长及其在GaN-Si混合雷电器件中的应用
机译:钝化p-,n-和n + -Si(111)上螺环的界面研究,用于串联钙钛矿/硅太阳能电池器件。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:锗固体源在硅上Ge-Si互扩散的实验研究。在pMOSFET的Si1-xGex渐变层的形成中的应用
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:在SiC / Si复合材料上成膜的方法,要进行成膜的材料以及气相生长在SiC / Si复合材料上成膜的方法
机译:光电器件SiC / SiO.sub.2 / Si上的SiC / 111-V-氮化物异质结构
机译:Si衬底上的SiC晶体可实现GaN和Si电子器件的集成
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