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SiO2薄膜低击穿机理的研究

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用扫描内光电发射法结合液晶显示法与自愈击穿法研究了SiO2薄膜低击穿的起因,得到液晶显示的SiO2膜中的缺陷是膜层低击穿的原因,而膜中可动正离子在缺陷处的堆积则引起击穿电压进一步降低的结论.

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来源
《半导体技术》 |1984年第6期|6-10|共5页
作者
张翔九; 胡际璜; 庞涛; 罗赴;
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作者单位

复旦大学物理系;

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复旦大学物理系;

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