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TP—83椭圆仪的某些应用

         

摘要

本文用TP-83型椭圆仪给出了硅器件工艺的若干重要数据:如硅片清洗后不同烘干方法的自然氧化层厚度;二氧化硅及其掺磷时的浓度与工艺条件对膜层折射率的影响等.文中用测量数据证明了在200A以内薄层时,取近Brewster角为方位角可以提高测量精度.最后还介绍了用TP-83椭圆仪可以同时输入两组不同角度的(?)、△值,而得到膜层的绝对厚度.

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1986年第6期|47-4931|共3页
  • 作者

    张爱珍; 于国明;

  • 作者单位

    北京半导体研究所;

    北京照相机械研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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