简讯

摘要

＜正＞上海科技大学半导体器件物理研究室试制出两类VVMOS器件,其主要性能介绍如下:一、高频VVMOS功率晶体管:工作频率:f=400兆赫输出功率:P0=10瓦系列功率增益:Kp≥5分贝漏电流:IOS=2安培漏源击穿电压:BVDS≥60伏开启电压:Vr=0～2伏开态电阻:Ron=3～4欧姆开关时间:t≤10毫微秒