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硅中磷分布的控制问题

         

摘要

本文首先从发射区Gummel数Ge出发分析提高器件电流增益β0以磷分布的要求,然后通过散规律研究提高磷分布表面浓度NS和梯度?K的工艺控制,最后讨论了硼磷的匹配问题.

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1987年第4期|13-18|共6页
  • 作者

    何维华;

  • 作者单位

    北京市半导体器件研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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