线阵CCD摄象传感器的栅氧化

摘要

线阵CCD摄象传感器的栅氧化,是制作整个器件的一个关键工艺,采用了三氯乙烯（以下简称TCE）参与氧化,已能获得高质量的二氧化硅层,其表面态密度一般控制在4×1010/cm~2·ev左右（最低可达9.1×10~9/cm~2·ev）。本文着重叙述了氧化层参数与工艺的关系和实验中的一些做法,对TCE氧化的工艺条件进行探讨。