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娄志东; A.N.Georgobiani; 徐征; 徐春祥; 藤枫; 徐叙;
天津大学应用物理系;
P.N.LebedevPhysicalInstitute;
RussianAcademyofSciences;
北方交通大学物理系;
天津理工学院材料物理所;
中国科学院长春物理研究所激发态开放实验室;
长春130021;
光致发光谱; 点缺陷; 薄膜电致发光; TFEL器件;
机译:驱动频率对基于Y_2O_3基发光层的厚陶瓷绝缘型TFEL器件的EL特性的影响
机译:使用空间分辨电致发光和光致发光研究了InGaN量子阱发光二极管的效率下降中的点缺陷,扩展缺陷和载流子局部的相互作用
机译:点缺陷累积引起的发光柱层金属骨架的结构变换
机译:蓝色发光Baal_2S_4的研究:TFEL的EU磷光体层
机译:提高薄膜电致发光(TFEL)器件的性能。
机译:层间相互作用对原子层MoS2晶体中激子发光的影响
机译:具有配体内部电荷转移致敏作用的高发光Sm(III)配合物以及溶剂极性对其发光性能的影响
机译:测量阻塞对体内皮肤渗透和角质层水合作用的瞬态效应的方法学
机译:用于制备AC TFEL器件的蓝色发光磷光体层的多源反应沉积工艺
机译:反应性多源沉积工艺以制造用于ac tfel器件的蓝色发光磷光体层
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