科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
周志文; 叶剑锋; 李世国;
深圳信息职业技术学院电子与通信学院;
广东深圳518172;
界面层(IL); 锗; 金属-锗接触; 肖特基势垒高度; 比接触电阻率;
机译:使用具有薄TiO_2界面层的低功函数Yb在n型Ge上进行低电阻接触
机译:金属-界面层-Ge结构中界面层掺杂对接触电阻率影响的分析研究
机译:n型和p型Ge源极/漏极的欧姆接触电阻的比较及其对Ge金属氧化物半导体场效应晶体管的传输特性的影响
机译:在n型Si和Ge上使用低功函数金属(Yb)-界面层-半导体触点,可降低接触势垒高度并降低电阻率
机译:铟过渡金属与n型砷化镓的欧姆接触的热力学研究,以及季镓-铟-(过渡或贵金属)-砷体系的热化学行为概述。
机译:通过插入Al2O3界面层来调节金属/ n-SiC接触电流密度
机译:金属 - 界面层 - 半导体源/漏结构对亚10nm n型Ge FinFET性能的影响
机译:使用'Ge-polymet'型圆盘棒试验台对表面改性的440C进行滚动接触疲劳
机译:压敏电阻产品的掺杂金属氧化物衬底。 -在表面层熔融扩散之前,通过添加足够的掺杂剂在贱金属氧化物中产生晶界沉积
机译:评估金属损伤对金属建筑表面层正交相变分布影响的变功率负荷影响的能量增量法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。