光电化学法研究镍基合金在288℃高温水中生成氧化膜的半导体性质

摘要

采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 eV.在400 mV至+400 mV范围内,Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质,Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质,同时,在半导体性质从n型转变为P型的临界电压下,光电化学响应相角发生180°转变.