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阎秋生; 徐沛杰; 路家斌; 梁华卓;
广东工业大学机电工程学院;
SiC; 化学机械抛光(CMP); 硅溶胶; Zeta电位绝对值; 表面粗糙度; 稳定性;
机译:二氧化硅溶胶对氧氮化硅粘结SiC浇筑物制备及高温力学性能的影响
机译:硅溶胶/竹炭体系中添加剂对合成SiC颗粒微观结构的影响
机译:硅溶胶法添加金属硅对β-SiC粉体合成的影响
机译:表面活性剂浓度对二氧化铈浆料化学机械抛光液相识{Sub} 2的步进高度减小的影响
机译:二氧化硅溶胶-凝胶基质中铜(II)配合物的结合和稳定性。
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:pEG对碱性硅溶胶稳定性的影响
机译:辐照对整体碳化硅和siC(sub f)/ siC复合材料稳定性和性能的影响达25 dpa
机译:抛光液,生产抛光液的方法,抛光液原液,抛光液原液容器,化学机械抛光方法
机译:抛光液,生产抛光液的方法,抛光液库存溶液,包含身体的抛光液库存溶液以及化学机械抛光方法
机译:偶氮化合物在改善化学机械抛光液稳定性中的应用
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