升温速率对ZnO压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响

摘要

研究了升温速率对ZnO-Bi_(2)O_(3)-Sb_(2)O_(3)-Co_(2)O_(3)-MnO_(2)-Cr_(2)O_(3)-SiO_(2)压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。当升温速率从3℃/min降低到1.5℃/min时,ZnO晶粒快速长大导致样品结构均匀性变差。当升温速率从3℃/min升高到10℃/min时,缺陷扩散变弱导致双Schottky势垒形成受阻。升温速率为3℃/min时,样品的非线性系数为最大值43.4,漏电流为最小值1.0μA/cm2,击穿场强为448 V/mm,三者的标准偏差达到最小,样品稳定性最好,200 Hz~2 MHz电场作用下损耗角正切tanδ小于0.03,综合电学性能最优。同时,晶界处带负电的富Bi相Bi_(3.73)Sb_(0.27)O_(6.0+x)的存在对ZnO压敏陶瓷的电学性能有重要影响。