BixSb2-xFe3薄膜热电器件

摘要

日本早稻田大学创造理工学部铃木佑辉等人将99．5％Bi（NO3）3·5H2O、99．0％TeO2、95％SbF3、97％NTA及28％氨水等试验稀释溶解为离子交换水，制成电解液，进行BixSb2-xTe3电沉积试验，结果如下：（1）出现临界电流密度的-0．7～-1．0V外加电位下进行的BixSb2-xTe3电沉积，通过溶液浓度可以控制电沉积膜的组成；（2）同样成分的溶液进行的电沉积，由于外加电位不同，薄膜成分也有差异；（3）外加电位绝对值越小，晶体越择优往（015）面取向，电导率随之提高；（4）X〈0．6时，制出的薄膜是n-型热电器件。