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孙霞; 汤萍; 陈岳; 姜勇; 黄真; 李广; 刘智民; 陈治友; 王胜; 袁松柳;
中国科学院等离子体物理研究所;
合肥230031;
稀土锰氧化物; 铁磁绝缘体; 铜; 巨磁电阻效应;
机译:1100℃烧结的La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Cu_xO_3晶体中的巨低场磁阻
机译:具有La_(0.7)Ca_(0.3)Mn_(1-x)Cu_xO_3(x = 0、0.03、0.06、0.1)的磁性的局部原子和电子结构
机译:Cu裂缝对Ca_(0.05)La_(0.05)Mn_(0.05)Mn_(1-x)Cu_xO_3(x = 0,0.025,0.05,0.075和0.1)锰锰的晶体和形态结构的影响
机译:空穴掺杂镧(1-x)锶(x)锰氧化物中的场效应和磁感应电容调谐。
机译:Ba(Zn1-2xMnxCux)2As2:Zn位点上带有Mn和Cu共掺杂的块状稀释铁磁半导体
机译:巨磁阻系统中靠近$ T_ {c} $的Mn 3d和4p带的温度依赖性变化:对$ La_ {1-x} Ca_ {x} MnO_ {3} $的XANES研究
机译:理解应变在p型In(x)Ga(1-x)as(Gaas衬底)和In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as(on on)上的孔隙尺寸裁剪中的作用的理论形式Inp substrates)调制掺杂场效应晶体管
机译:获得Cu 2 Sub> Mn 3 + Sup> 1-X Sub> Ga X Sub> BO 5 Sub>的方法氧硼酸盐
机译:用于场效应晶体管的硅掺杂层的制造方法,包括在凹槽中形成半导体层以在晶体管沟道区中产生拉伸应变,以及在该层上形成顶涂层以及在涂层上形成硅掺杂层
机译:包含Sn,Bi和至少Mn,Sb,Cu的无铅焊料合金及其在将电子元件焊接到基板上的用途
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