短波紫外线诱导V79细胞凋亡模型的建立

摘要

目的探讨短波紫外线(UVC)诱导V79细胞凋亡的最佳暴露剂量并建立细胞凋亡模型。方法处于对数生长期的V79细胞,以4.5 mJ/cm^2强度UVC分别照射0、10、20、30、60、90 s,对应的照射剂量分别为0(对照)、45、90、135、270、405mJ/cm^2。采用MTT法检测细胞存活率,采用流式细胞仪检测细胞凋亡和坏死情况及细胞内活性氧(ROS)的水平。结果与对照组比较,各剂量UVC暴露组V79细胞的存活率均较低,差异有统计学意义(P<0.05);且随着UVC暴露剂量的升高,V79细胞的存活率呈下降趋势。当UVC暴露剂量为90 mJ/cm^2时,V79细胞的存活率为(50.4±5.7)%。与对照组比较,各剂量UVC暴露组V79细胞的凋亡率均较高,差异有统计学意义(P<0.05);而坏死率无明显改变。且随着UVC暴露剂量的升高,V79细胞的凋亡率呈上升趋势。与对照组比较,各剂量UVC暴露组V79细胞内ROS的水平均较高,差异有统计学意义(P<0.05);且随着UVC暴露剂量的升高,V79细胞内ROS的水平呈上升趋势。结论 UVC诱导V79细胞凋亡的最佳暴露剂量为90 mJ/cm^2。