Al^3＋ -Ce^3＋共掺杂纳米SiO2的发光性能

摘要

采用溶胶-凝胶技术制备了Al^(3+)-Ce^(3+)共掺杂的纳米SiO_2,并对其进行H_2气氛中700～800℃的热处理。采用透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、Fourier红外光谱仪(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、紫外-可见分光光度计(ultraviolet-visible spectrophotometry, UV-Vis)及荧光光谱仪观察并测试掺杂改性纳米SiO_2的形貌及光学性能。结果表明,掺杂纳米SiO_2中存在两个起源不同的383nm发光带:一个为由245nm激发产生的383nm和402nm双峰结构的发光带,该发光起源于纳米SiO_2的本征缺陷中心;另一个为由314nm激发产生的383nm宽带发光,该发光带起源于掺杂的Ce^(3+);并且研究了该发光带强度与Al^(3+)的掺杂浓度以及热处理温度的关系。