HOSO+X(X=F,Cl,Br)的反应机理及电子密度拓扑分析

摘要

在CCSD(T)/6-311++G(d,p)//MP2/6-311++G(d,p)水平上研究了HOSO+X(X=F,Cl,Br)的反应机理.优化得到了反应势能曲线上各驻点的几何构型,通过内禀反应坐标(IRC)确认了反应物、中间体、过渡态和产物的相关性.在CCSD(T)/6-311++G(d,p)水平上对计算得到的构型进行了能量校正.应用经典过渡态理论(TST)与变分过渡态理论(CVT),并结合小曲率隧道效应模型(SCT)校正的方法,计算了该反应在200～3000K温度范围内的速率常数kTST,kCVT和kCVT/SCT.计算结果表明:HOSO+X(X=F,Cl,Br)反应在单态和三态条件下均可发生,其中单态为主反应通道,HX+SO2为主产物.并利用电子密度拓扑分析方法研究了主反应通道化学键的变化.