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Nb/Al-AlOx/Nb超导隧道结的制备

         

摘要

在高阻硅衬底上采用光刻、直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等方法研究制备了高质量的Nb/Al-AlOx/Nb超导隧道结.在4.2K下,测量了直径8μm的圆形结样品,得到临界电流密度约为1.6kA/cm2,漏电流约为50 μA.制结工艺流程的重复性较好.

著录项

  • 来源
    《低温与超导》 |2015年第7期|19-21|共3页
  • 作者单位

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

    南京大学超导电子学研究所,南京210093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    Nb/Al-AlOx/Nb; 超导隧道结; 制备工艺;

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