英飞凌推出全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50

摘要

英飞凌科技近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50％，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。