Electronic Structure and Optical Properties of Zinc-Blende InxGa1-xNyAs1-y by a First-Principles Study

摘要

电子结构和锌闪锌矿 InxGa1 的光性质 ? xNyAs1 ? y 系统被计算从第一原则。一些相对模拟在密度的框架用本地密度近似的 CA-PZ 形式被执行功能的理论。内在的 GaAs 的 supercell 由使用不同方法计算、优化，并且 LDA-CA-PZ 给最稳定的结构。InxGa1 的乐队差距 ? xAs 趋于与在集中增加减少。为 In0.0625Ga0.9375NyAs1 的盒子 ? y，乐队差距将看细微差别 N 集中什么时候比 18.75% 大。光转变在在 GaAs 的掺杂物展出红移动，当它是蓝色时，在 InGaAs 为 N 掺杂物变。而且，在不同的做的绝缘的功能，反射率，折射索引和损失功能 InxGa1 当模特儿 ? xNyAs1 ? y 也被讨论。