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Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates

         

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    《中国物理C(英文版) 》 |2016年第3期|104-108|共5页
  • 作者单位

    Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry Chinese Academy of Sciences Urumqi 830011 China;

    School of Physics Science and Technology Xinjiang University Urumqi 830046 China;

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