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Review of resistive switching mechanisms for memristive neuromorphic devices

机译:忆阻性神经形态装置的电阻切换机制综述

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  • 来源
    《中国物理:英文版》 |2020年第9期|前插11-14|共15页
  • 作者

    Rui Yang;

  • 作者单位

    State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mould Technology School of Materials Science and Engineering Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074 China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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