Ti-Al based ohmic contacts to n-type 6H-SiC with P+ ion implantation

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2006年第9期|2142-2145|共4页
• 作者

  Guo Hui; Zhang Yi-Men; Zhang Yu-Ming;

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• 作者单位

  Microelectronic School Xidian University Xi'an 710071 China;

  Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices Xi'an 710071 China;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 物理学;
• 关键词

  ohmic contact; silicon carbide; specific contact resistance; P+ ion implantation;

  机译：欧姆接触碳化硅比接触电阻P +离子注入;