Localized electronic states in gaps on hole-net structures of silicon

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2009年第11期|5066-5071|共6页
• 作者

  Huang Wei-Qi; Lü Quan; Zhang Rong-Tao; Wang Xiao-Yun; Yu Shi-Qiang;

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• 作者单位

  Key Laboratory of Photoelectron Technology and Application Guizhou University Guiyang 550026 China;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 物理学;
• 关键词