The reliability of AlGaN/GaN high electron mobilitytransistors under step-electrical stresses

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2011年第12期|395-399|共5页
• 作者

  Ma Xiao-Hua; Jiao Ying; Ma Ping; He Qiang; Ma Ji-Gang; Zhang Kai; Zhang Hui-Long; Zhang Jin-Cheng; Hao Yue;

  展开▼
• 作者单位

  School of Technical Physics Xidian University Xi'an 710071 China;

  Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of Microelectronics Xidian University Xi'an 710071 China;

  展开▼
• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类
• 关键词