Interlayer distance effects on absorption coefficient and refraction index change in p-type double-δ-doped GaAs quantum wells

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2019年第12期|213-218|共6页
• 作者

  H Noverola-Gamas; L M Gaggero-Sager; O Oubram;

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• 作者单位

  Instituto de Investigaciones en Ciencias Básicas y Aplicadas Universidad Autónoma del Estado de Morelos Cuernavaca 62209 México;

  División Académica de Ingeniería y Arquitectura Universidad Juárez Autónoma de Tabasco Cunduacán 8ó60 México;

  Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas Universidad Autónoma del Estado de Morelos Cuernavaca 62209 México;

  Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería Universidad Autónoma del Estado de Morelos Cuernavaca 62209 México;

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