The electrical characteristics of a 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with Al2O3 as the gate dielectric

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2011年第12期|366-372|共7页
• 作者

  Liu Li; Yang Yin-Tang; Ma Xiao-Hua;

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• 作者单位

  School of Microelectronics Xidian University Xi'an 710071 China;

  Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Ministry of Education Xi'an 710071 China;

  School of Technical Physics Xidian University Xi'an 710071 China;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类
• 关键词