A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2011年第9期|226-229|共4页
• 作者

  Guan Bao-Lu; Ren Xiu-Juan; Li Chuan; Li Shuo; Shi Guo-Zhu; Guo Xia;

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• 作者单位

  Opto-electronic Devices Research Laboratory Beijing University of Technology Beijing 100124 China;

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• 正文语种 chi
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