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关宝璐; 任秀娟; 李川; 李硕; 史国柱; 郭霞;
Opto-electronic;
Devices;
Ftesearctl;
Laboratory;
Beijing;
University;
of;
Technology;
100124;
China;
垂直腔面发射激光器; 量子阱; 氧化物; 高功率; 纳米; 门槛; 阈值电流密度; 可靠性寿命试验;
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