A unified charge-based model for SOI MOSFETs applicable from intrinsic to heavily doped channel

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2012年第4期|P.478-485|共8页
• 作者

  张健; 何进; 周幸叶; 张立宁; 马玉涛; 陈沁; 张勖凯; 杨张; 王睿斐; 韩雨; 陈文新;

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• 作者单位

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
• 关键词

  MOSFET; 电荷模型; SOI; 重掺杂; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 通道; 玻尔兹曼方程; 绝缘体上硅;

  机译：MOSFET;电荷模型;SOI;重掺杂;金属氧化物半导体场效应晶体管;通道;玻尔兹曼方程;绝缘体上硅;