首页> 外文期刊>中国物理:英文版 >Top contact organic field effect transistors fabricated using a photolithographic process
【24h】

Top contact organic field effect transistors fabricated using a photolithographic process

机译:使用光刻工艺制造的顶部接触有机场效应晶体管

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

著录项

  • 来源
    《中国物理:英文版》 |2011年第8期|389-393|共5页
  • 作者单位

    Institute of Microelectronics School of Physical Science and Technology Lanzhou University Lanzhou 730000 China;

    Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029;

    Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 China;

  • 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号